직무 · 삼성전자 / 공정기술
안녕하세요. MOSFET 소자 완성 후에 전기적 특성을 측정하다가 스펙 오버의 원인이 PR의 불균일한 코팅임을 밝힐 수 있나요? 가능하다면 어떤 방식으로 알 수 있는 지 궁금합니다.
2025.03.27
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안녕하세요. 전자전기공학부 3학년 2학기 재학 중인 학부생입니다. 진로는 반도체 소자/공정 준비 중이고, 2순위로는 학부 취업이 그나마 용이한 전력계통 생각 중입니다. 현재 ASIC설계 과목을 듣고 있는데, 총 공부 시간의 대부분을 차지함에도 불구하고 회로설계에 대한 직관이 생기질 않습니다... 교수님이 강의하시는 것도 이해가 가질 않고, Virtuoso로 실습 프로젝트까지 해야되는 상황입니다. 솔직히 이대로 수강을 계속 하면 해당 과목 성적이 한 C+정도 뜰 거 같고, 다른 과목도 피해를 볼 거 같네요ㅠ 오늘 밤 까지 드랍기간이라 일주일 내내 고민 했었는데, 드랍 하는게 맞을까요? 아니면 ASIC을 수강하지 않은 점이 취준 시 불리할 수 있는 점이 될까요?
안녕하세요 저는 신소재공학과에서 석사과정에 있습니다. 제 연구는 2D물질을 이용해 소자를 제작하고 probe등을 이용해 특성 측정 후 이를 개선하기 위해 전극의 두께를 조절하거나 interlayer를 삽입해보거나 산화막 종류를 바꿔보거나 열처리, 또는 플라즈마 사용을 해보는 등 연구를 진행하고있습니다. 사용장비로는 보통 Ebeam, photo장비, CVD, ALD, AFM, SEM, XPS, RAMAN 등이 있습니다. 현재 저의 고민은 반연 공기/글인총 공기/메공기/메공설 중 어떤 직무가 가장 저와 핏할지, 현실적으로 더 합격률이 높은 직무는 어디인지 그 이유는 무엇인지 알고싶습니다. 반연은 학벌을 많이 본다고 아는데 연구주제와 학벌을 함께 고려해보았을때 현실적으로 어려울까요? 또한 글인총 공기는 계측 업무가 맞을까요?
SiO2 etch를 진행할 때, Dual RF를 사용하는 Lam research 장비를 활용했습니다. 식각 가스는, C4F8(15sccm), O2 (10sccm) 이 정도만 사용했고 나머지는 Ar으로 채웠습니다. 식각 과정에서 PR 손상에 미치는 영향이 27MHz의 High-frequency RF power를 증가시켰을 때나 Pressure 증가시켰을 때 주로 증가하고 2MHz의 Low-frequency RF power를 증가시켰을 때는 거의 PR 손상량이 증가하지 않았는데 주로 PR 손상은 화학 반응을 통한 영향이 큰가요?
안녕하세요. 전자전기공학부 3학년 2학기 재학 중인 학부생입니다. 진로는 반도체 소자/공정 준비 중이고, 2순위로는 학부 취업이 그나마 용이한 전력계통 생각 중입니다. 현재 ASIC설계 과목을 듣고 있는데, 총 공부 시간의 대부분을 차지함에도 불구하고 회로설계에 대한 직관이 생기질 않습니다... 교수님이 강의하시는 것도 이해가 가질 않고, Virtuoso로 실습 프로젝트까지 해야되는 상황입니다. 솔직히 이대로 수강을 계속 하면 해당 과목 성적이 한 C+정도 뜰 거 같고, 다른 과목도 피해를 볼 거 같네요ㅠ 오늘 밤 까지 드랍기간이라 일주일 내내 고민 했었는데, 드랍 하는게 맞을까요? 아니면 ASIC을 수강하지 않은 점이 취준 시 불리할 수 있는 점이 될까요?
안녕하세요 저는 신소재공학과에서 석사과정에 있습니다. 제 연구는 2D물질을 이용해 소자를 제작하고 probe등을 이용해 특성 측정 후 이를 개선하기 위해 전극의 두께를 조절하거나 interlayer를 삽입해보거나 산화막 종류를 바꿔보거나 열처리, 또는 플라즈마 사용을 해보는 등 연구를 진행하고있습니다. 사용장비로는 보통 Ebeam, photo장비, CVD, ALD, AFM, SEM, XPS, RAMAN 등이 있습니다. 현재 저의 고민은 반연 공기/글인총 공기/메공기/메공설 중 어떤 직무가 가장 저와 핏할지, 현실적으로 더 합격률이 높은 직무는 어디인지 그 이유는 무엇인지 알고싶습니다. 반연은 학벌을 많이 본다고 아는데 연구주제와 학벌을 함께 고려해보았을때 현실적으로 어려울까요? 또한 글인총 공기는 계측 업무가 맞을까요?
SiO2 etch를 진행할 때, Dual RF를 사용하는 Lam research 장비를 활용했습니다. 식각 가스는, C4F8(15sccm), O2 (10sccm) 이 정도만 사용했고 나머지는 Ar으로 채웠습니다. 식각 과정에서 PR 손상에 미치는 영향이 27MHz의 High-frequency RF power를 증가시켰을 때나 Pressure 증가시켰을 때 주로 증가하고 2MHz의 Low-frequency RF power를 증가시켰을 때는 거의 PR 손상량이 증가하지 않았는데 주로 PR 손상은 화학 반응을 통한 영향이 큰가요?
답변 6
채택된 답변MOSFET 소자의 전기적 특성에서 스펙 오버의 원인이 PR(포토레지스트)의 불균일한 코팅인지 확인하는 것은 가능합니다. 이를 알 수 있는 방법은 다음과 같습니다: AFM분석을 통해 PR 코팅의 표면 거칠기를 측정하여 불균일성을 확인할 수 있습니다. SEM 분석을 통해 PR 코팅의 두께와 균일성을 관찰하여 불균일한 코팅 여부를 확인할 수 있습니다. MOSFET의 전기적 특성에서 이상이 발견되면 이는 코팅 불균일성의 결과일 수 있습니다. 공정 모니터링을 통해 공정 중간 단계에서 PR 코팅의 품질을 모니터링하여 불균일성을 사전에 방지할 수 있습니다. 이러한 방법들을 통해 PR 코팅의 불균일성이 MOSFET의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석할 수 있습니다.
채택된 답변지원자님, 안녕하세요~! MOSFET 소자의 전기적 특성을 측정하는 과정에서 PR(포토레지스트)의 불균일한 코팅이 스펙 오버의 원인인지 확인하는 건 가능해요! PR 두께의 균일성이 반도체 소자의 특성에 직접적인 영향을 미치기 때문이죠. PR이 불균일하면 식각(Etch)이나 이온 주입(Ion Implantation) 공정에서 원하는 패턴이 정확하게 형성되지 않을 수 있어요~ 그러면 문턱 전압(Threshold Voltage, Vth)이나 드레인 전류(Drain Current, Ids) 같은 전기적 특성이 설계값과 다르게 나올 가능성이 커지죠! 이를 확인하는 방법은 몇 가지가 있어요! PR 두께 측정: 엘립소미터(Ellipsometer)나 공초점 형광 현미경(Confocal Microscope) 등을 이용해 PR의 두께 균일성을 분석할 수 있어요~ CD(임계 차원) 측정: 불균일한 PR 코팅은 리소그래피 패턴의 크기(Critical Dimension, CD) 변화를 유발할 수 있어요! CD-SEM(Scanning Electron Microscope)으로 패턴 크기 변화를 분석하면 영향 여부를 확인할 수 있어요~ 전기적 특성 비교: 동일한 공정을 거친 웨이퍼 중에서 PR 코팅이 균일한 경우와 불균일한 경우를 나눠 전기적 특성을 비교해 보면 PR 불균일성과의 상관관계를 찾을 수 있어요~ 이런 방식으로 PR의 불균일이 전기적 특성에 미치는 영향을 분석할 수 있으니 참고해 주세요! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
댓글 1
2025.03.28
답변 감사드립니다! 혹시 PR측정과 CD측정도 소자 제작 후에 측정이 가능한 것인가요?
